金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种沟槽型MOSFET器件的制备方法及MOSFET器件”的专利，公开号CN120529608A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本申请公开了一种沟槽型MOSFET器件的制备方法，包括：以衬底上表面的图形化外延层作为掩膜，在衬底中形成沟槽，并去除外延层；在沟槽底部、侧壁以及衬底上表面上方形成第一栅介质层和层叠在第一栅介质层上的第一栅极层，其中，第一栅极层的厚度满足第一厚度阈值条件；去除沟槽底部和衬底上表面的层叠在第一栅介质层上的第一栅极层；在沟槽底部的第一栅介质层上方沉积第二栅介质层；在第二栅介质层上方沉积第二栅极层，第二栅极层的上表面与衬底上方的第一栅介质层的上表面齐平，其中，第二栅极层的厚度满足第二厚度阈值条件。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1200条，此外企业还拥有行政许可21个。

本文源自：金融界